أعلنت شركة سامسونغ للالكترونيات عن أول بطاقة ذاكرة وميضية مدمجة eUFS 2.1 في العالم وقد دخلت هذه الذاكرة الجديدة حيز الإنتاج بالفعل. ومن المتوقع أن ينطوي الجيل القادم من الهواتف الذكية على هذه الذاكرة، في حين يرجح أن يكون هاتف Galaxy S10 + هو أول هاتف ينطوي عليها.
وتماما مثل ذاكرة التخزين السابقة بسعة 512GB، فإن الذاكرة الوميضية المدمجة eUFS الجديدة تتميز بمحيط (11.5 × 13 ملم) مع احتوائها على ضعف سعة التخزين من خلال دمج 16 طبقة ذاكرة وميضية V-NAND مكدسة مع وحدة تحكم حديثة التطوير.
وتتميز الذاكرة الجديدة بسرعة قراءة متسلسلة تصل إلى 1000MB في الثانية وسرعة كتابة متسلسلة تقدر ب 260MB في الثانية. وللتذكير، فإن قدرة سرعة قراءة واجهات الإدخال والإخراج لوسائط التخزين ذات الحالة الثابتة (SATA SSD) متوسطة الحجم 2.5 إنش تصل إلى 540MB في ثانية. ومقارنة مع الجيل السابق من ذاكرات التخزين بسعة 512MB، فإن سرعة القراءة العشوائية لبطاقة الذاكرة بسعة 1TB قد زادت بنسبة 38٪.
وفي ما يلي جدول صغير بحلول الذاكرة الداخلية المختلفة وأدائها:
| Memory | Sequential Read | Sequential Write | Random Read | Random Write |
| 1TB eUFS 2.1 | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40.000 IOPS |
| 256GB UFS Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,0000 IOPS | 35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |